每經(jīng)AI快訊，9月23日，盛美上海在互動平臺表示，公司于7月28日宣布對其UltraCwb濕法清洗設(shè)備進行了重大升級。濕法刻蝕過程中質(zhì)量傳遞效率的提高可防止副產(chǎn)物在晶圓微結(jié)構(gòu)內(nèi)積聚，從而避免二次沉積。這項技術(shù)在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D邏輯器件中有巨大的應(yīng)用前景。9月8日，公司宣布推出首款KrF工藝前道涂膠顯影設(shè)備Ultra Lith KrF，旨在支持半導(dǎo)體前端制造。該系統(tǒng)的問世標(biāo)志著盛美上海光刻產(chǎn)品系列的重要擴充，具有高產(chǎn)能、先進溫控技術(shù)以及實時工藝控制和監(jiān)測功能。首臺設(shè)備系統(tǒng)已于2025年9月交付中國頭部邏輯晶圓廠客戶。在面板級設(shè)備方面，公司打造的FOPLP設(shè)備產(chǎn)品矩陣包括UltraECPap-p面板級電鍍設(shè)備、UltraCvac-p面板級負(fù)壓清洗設(shè)備、UltraCbev-p面板級邊緣刻蝕設(shè)備，助推AI芯片封裝從傳統(tǒng)的晶圓級封裝向更高密度、更大尺寸的面板級封裝轉(zhuǎn)型。