2025年9月22日，截至收盤(pán)，滬指跌0.18%，報(bào)收3821.83點(diǎn)；深成指跌0.29%，報(bào)收13119.82點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指漲0.21%，報(bào)收3114.55點(diǎn)?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）漲4.66%，半導(dǎo)體材料ETF（562590）漲6.04%。

隔夜外盤(pán)：截至收盤(pán)，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌0.19%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)跌0.95%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)跌0.55%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)跌0.35%，恩智浦半導(dǎo)體跌0.05%，美光科技漲1.09%，ARM跌2.42%，應(yīng)用材料漲0.17%，微芯科技漲1.06%。

行業(yè)資訊：

1. 8月國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域統(tǒng)計(jì)口徑內(nèi)共發(fā)生68起私募股權(quán)投融資事件，較上月72起減少5.56%；已披露的融資總額約24.90億元，較上月21.20億元增加17.45%。

2. 盛美上海在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司于7月28日宣布對(duì)其UltraCwb濕法清洗設(shè)備進(jìn)行了重大升級(jí)。濕法刻蝕過(guò)程中質(zhì)量傳遞效率的提高可防止副產(chǎn)物在晶圓微結(jié)構(gòu)內(nèi)積聚，從而避免二次沉積。這項(xiàng)技術(shù)在500層以上的3D NAND，3D DRAM，3D邏輯器件中有巨大的應(yīng)用前景。9月8日，公司宣布推出首款KrF工藝前道涂膠顯影設(shè)備Ultra Lith KrF。首臺(tái)設(shè)備系統(tǒng)已于2025年9月交付中國(guó)頭部邏輯晶圓廠客戶。

3. 長(zhǎng)川科技發(fā)布A股半導(dǎo)體領(lǐng)域首個(gè)2025年前三季度業(yè)績(jī)預(yù)告，預(yù)計(jì)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為8.27億元-8.77億元，比上年同期增長(zhǎng)131.39%至145.38%，或創(chuàng)單季度業(yè)績(jī)新高。

東莞證券認(rèn)為，AI滲透與國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)明確，維持半導(dǎo)體板塊超配評(píng)級(jí)。受益AI驅(qū)動(dòng)需求復(fù)蘇和關(guān)鍵領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代持續(xù)推進(jìn)，半導(dǎo)體行業(yè)自2023年下半年以來(lái)逐步進(jìn)入景氣復(fù)蘇周期，且2024年、2025年一季度營(yíng)收、凈利潤(rùn)維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，盈利能力也從2024年下半年開(kāi)始逐步修復(fù)，并于25Q1實(shí)現(xiàn)同比正向增長(zhǎng)。建議從成長(zhǎng)空間和長(zhǎng)期確定性出發(fā)，把握25Q1業(yè)績(jī)表現(xiàn)較好的半導(dǎo)體設(shè)備與材料、AI算力、AI終端芯片、模擬芯片、半導(dǎo)體封測(cè)等細(xì)分板塊。

相關(guān)ETF：公開(kāi)信息顯示，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：024417；C類(lèi)：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）和半導(dǎo)體材料（25%）細(xì)分領(lǐng)域的硬科技公司。半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)是重要的國(guó)產(chǎn)替代領(lǐng)域，具備國(guó)產(chǎn)化率較低、國(guó)產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導(dǎo)體需求擴(kuò)張、科技重組并購(gòu)浪潮、光刻機(jī)技術(shù)進(jìn)展。

半導(dǎo)體材料ETF（562590）及其聯(lián)接基金（A類(lèi)：020356、C類(lèi)：020357），指數(shù)中半導(dǎo)體設(shè)備（59%）、半導(dǎo)體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導(dǎo)體上游。